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因此，可以看出，额定极限短路分断能力Icn指的是低压断路器在分断了断路器出线端大三相短路电流后还可再正常运行并再分断这一短路电流一次，于以后是否能正常接通及分断，断路器不予以保；而额定运行短路分断能力Ics指的是断路器在其出线端大三相短路电流发生时可多次正常分断。IEC947—2《低压关设备和控制设备低压断路器》标准规定：A类断路器（指仅有过载长延时、短路瞬动的断路器）的Ics可以是25%、50%、75%和。B类断路器（有过载长延时、短路短延时、短路瞬动的三段保护的断路器）的Ics可以是Ics的50%、75%和。因此可以看出，额定运行短路分断能力是一种比额定极限短路分断电流小的分断电流值。 [1] 一般来说，具有过载长延时、短路短延时和短路瞬动三段保护功能的断路器，能实现选择性保护，大多数主干线（包括变压器的出线端）都采用它作主保护关。不具备短路短延时功能的断路器（仅有过载长延时和短路瞬动二段保护），不能作选择性保护，它们只能使用于支路。IEC92《船舶电气》指出：具有三段保护的断路器，偏重于它的运行短路分断能力值，而使用于分支线路的断路器，应确保它有足够的极限短路分断能力值。
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坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段，利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。特点编辑HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计。即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗，操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制氩气流量。维护方便全自动控制系统采用模块化设计高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。
